IRFI644GPBF
IRFI644GPBF
Número de pieza:
IRFI644GPBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17845 Pieces
Ficha de datos:
IRFI644GPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 4.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:*IRFI644GPBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFI644GPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 7.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.9A (Tc)
Email:[email protected]

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