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IRFHM4226TRPBF
- Número de pieza:
- IRFHM4226TRPBF
- Descripción:
- MOSFET N CH 25V 28A PQFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16741 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFHM4226TRPBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFHM4226TRPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFHM4226TRPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.7W (Ta), 39W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-TQFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | IRFHM4226TRPBFDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRFHM4226TRPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 13V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 25V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET N CH 25V 28A PQFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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