IRFH3702TRPBF
IRFH3702TRPBF
Número de pieza:
IRFH3702TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15044 Pieces
Ficha de datos:
IRFH3702TRPBF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFH3702TRPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFH3702TRPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IRFH3702TRPBF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:7.1 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IRFH3702TRPBF-ND
IRFH3702TRPBFTR
SP001572498
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFH3702TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios