IRFBF20L
IRFBF20L
Número de pieza:
IRFBF20L
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14297 Pieces
Ficha de datos:
IRFBF20L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta), 54W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRFBF20L
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFBF20L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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