Comprar IRFBE30STRLPBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRFBE30STRLPBF
- Número de pieza:
- IRFBE30STRLPBF
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15413 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFBE30STRLPBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFBE30STRLPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFBE30STRLPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 125W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IRFBE30STRLPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRFBE30STRLPBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | Investigación |
 |
IRFBE30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | Investigación |
 |
IRFBE20S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | Investigación |
|
IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Investigación |
 |
IRFBE30LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | Investigación |
|
IRFBE30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Investigación |
|
IRFBE30STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Investigación |
|
IRFBE30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | Investigación |
|
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers