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IRF7811AVTRPBF
IRF7811AVTRPBF
Número de pieza:
IRF7811AVTRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14526 Pieces
Ficha de datos:
IRF7811AVTRPBF.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 15A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:IRF7811AVPBFTR
IRF7811AVTRPBF-ND
IRF7811AVTRPBFTR-ND
SP001566386
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF7811AVTRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1801pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.8A (Ta)
Email:[email protected]

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