IRF7104TRPBF
IRF7104TRPBF
Número de pieza:
IRF7104TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19378 Pieces
Ficha de datos:
IRF7104TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:250 mOhm @ 1A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:IRF7104PBFTR
IRF7104TRPBF-ND
IRF7104TRPBFTR-ND
SP001564756
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF7104TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A
Email:[email protected]

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