IRF6616TRPBF
IRF6616TRPBF
Número de pieza:
IRF6616TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13455 Pieces
Ficha de datos:
IRF6616TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.25V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MX
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MX
Otros nombres:IRF6616TRPBF-ND
IRF6616TRPBFTR
SP001525524
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF6616TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3765pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:44nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 106A (Tc)
Email:[email protected]

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