IRF630
IRF630
Número de pieza:
IRF630
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18062 Pieces
Ficha de datos:
IRF630.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:MESH OVERLAY™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):75W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-2757-5
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF630
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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