IRF5805TRPBF
IRF5805TRPBF
Número de pieza:
IRF5805TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16149 Pieces
Ficha de datos:
IRF5805TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Micro6™(TSOP-6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:98 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:IRF5805TRPBF-ND
IRF5805TRPBFTR
SP001576918
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:19 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF5805TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:511pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

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