IPS04N03LA G
IPS04N03LA G
Número de pieza:
IPS04N03LA G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12974 Pieces
Ficha de datos:
IPS04N03LA G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 80µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:4 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):115W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres:IPS04N03LAGX
SP000016330
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPS04N03LA G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5199pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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