IPP60R099CPXKSA1
IPP60R099CPXKSA1
Número de pieza:
IPP60R099CPXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15189 Pieces
Ficha de datos:
IPP60R099CPXKSA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPP60R099CPXKSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPP60R099CPXKSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPP60R099CPXKSA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:99 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):255W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP60R099CP
IPP60R099CPIN
IPP60R099CPIN-ND
IPP60R099CPXK
IPP60R099CSIN
IPP60R099CSIN-ND
IPP60R099CSX
IPP60R099CSXTIN
IPP60R099CSXTIN-ND
SP000057021
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP60R099CPXKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios