IPP080N06N G
IPP080N06N G
Número de pieza:
IPP080N06N G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18102 Pieces
Ficha de datos:
IPP080N06N G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 150µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):214W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPP080N06N G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:93nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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