IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1
Número de pieza:
IPI029N06NAKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13982 Pieces
Ficha de datos:
IPI029N06NAKSA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPI029N06NAKSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPI029N06NAKSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPI029N06NAKSA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.8V @ 75µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.9 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta), 136W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:IPI029N06N
IPI029N06N-ND
SP000962134
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPI029N06NAKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios