IPG20N04S4L11ATMA1
IPG20N04S4L11ATMA1
Número de pieza:
IPG20N04S4L11ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16583 Pieces
Ficha de datos:
IPG20N04S4L11ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 15µA
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8-4
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:11.6 mOhm @ 17A, 10V
Potencia - Max:41W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IPG20N04S4L11ATMA1-ND
IPG20N04S4L11ATMA1TR
SP000705564
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPG20N04S4L11ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1990pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET 2N-CH 8TDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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