IPD60R2K1CEBTMA1
IPD60R2K1CEBTMA1
Número de pieza:
IPD60R2K1CEBTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18703 Pieces
Ficha de datos:
IPD60R2K1CEBTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 60µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-3
Serie:CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs:2.1 Ohm @ 760mA, 10V
La disipación de energía (máximo):22W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD60R2K1CEBTMA1DKR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:IPD60R2K1CEBTMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A (Tc)
Email:[email protected]

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