Comprar IPB45N06S3L-13 con BYCHPS
Compre con garantía
IPB45N06S3L-13
- Número de pieza:
- IPB45N06S3L-13
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15013 Pieces
- Ficha de datos:
- IPB45N06S3L-13.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPB45N06S3L-13, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPB45N06S3L-13 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 30µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 13.1 mOhm @ 26A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 65W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | IPB45N06S3L-13-ND IPB45N06S3L-13INTR IPB45N06S3L13XT SP000102223 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IPB45N06S3L-13 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 45A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IPB45N06S3L-13
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | Investigación |
|
IPB45N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 | Investigación |
 |
FCPF22N60NT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F | Investigación |
|
IPB45N06S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Investigación |
 |
IRFUC20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK | Investigación |
|
IPB45P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Investigación |
|
IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Investigación |
|
IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Investigación |
 |
TK6A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V TO220SIS | Investigación |
 |
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers