IPB075N04LGATMA1
IPB075N04LGATMA1
Número de pieza:
IPB075N04LGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18044 Pieces
Ficha de datos:
IPB075N04LGATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 20µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:7.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):56W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB075N04L G
IPB075N04L G-ND
IPB075N04L GTR-ND
SP000387943
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPB075N04LGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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