IPA65R065C7XKSA1
IPA65R065C7XKSA1
Número de pieza:
IPA65R065C7XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18461 Pieces
Ficha de datos:
IPA65R065C7XKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 850µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-FP
Serie:CoolMOS™ C7
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 17.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):34W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:SP001080114
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPA65R065C7XKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3020pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:64nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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