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IMZ4T108
- Número de pieza:
- IMZ4T108
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14692 Pieces
- Ficha de datos:
- IMZ4T108.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IMZ4T108, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IMZ4T108 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 32V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA |
| Tipo de transistor: | NPN, PNP |
| Paquete del dispositivo: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 300mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-74, SOT-457 |
| Otros nombres: | IMZ4T108-ND IMZ4T108TR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IMZ4T108 |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz, 200MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 32V 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descripción: | TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 100mA, 3V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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