HUF75329D3S
HUF75329D3S
Número de pieza:
HUF75329D3S
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18847 Pieces
Ficha de datos:
HUF75329D3S.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HUF75329D3S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HUF75329D3S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar HUF75329D3S con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252AA
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):128W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:HUF75329D3S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:65nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios