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HGT1S10N120BNST
- Número de pieza:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15141 Pieces
- Ficha de datos:
- HGT1S10N120BNST.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HGT1S10N120BNST, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HGT1S10N120BNST por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Condición de prueba: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| Cambio de Energía: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 298W |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | HGT1S10N120BNSTDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | HGT1S10N120BNST |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | NPT |
| puerta de carga: | 100nC |
| Descripción ampliada: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB |
| Descripción: | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 80A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 35A |
| Email: | [email protected] |
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