GP1M023A050N
GP1M023A050N
Número de pieza:
GP1M023A050N
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12703 Pieces
Ficha de datos:
GP1M023A050N.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3PN
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:220 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):347W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres:1560-1192-1
1560-1192-1-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GP1M023A050N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3391pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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