GP1M008A080FH
GP1M008A080FH
Número de pieza:
GP1M008A080FH
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16578 Pieces
Ficha de datos:
GP1M008A080FH.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):40.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GP1M008A080FH
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1921pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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