GDP50P120B
GDP50P120B
Número de pieza:
GDP50P120B
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14212 Pieces
Ficha de datos:
GDP50P120B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.7V @ 50A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:TO-247-2
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:Amp+™
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-2
Otros nombres:1560-1028-5
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 135°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GDP50P120B
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A (DC) Through Hole TO-247-2
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:100µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io):50A (DC)
Capacitancia Vr, F:2984pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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