GBU10M
Número de pieza:
GBU10M
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE BRIDGE 1000V 10A GBU
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14448 Pieces
Ficha de datos:
1.GBU10M.pdf2.GBU10M.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - inversa de pico (máxima):1000V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 10A
Tecnología:Standard
Paquete del dispositivo:GBU
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:4-SIP, GBU
Otros nombres:GBU10MGN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:GBU10M
Descripción ampliada:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBU
Tipo de diodo:Single Phase
Descripción:DIODE BRIDGE 1000V 10A GBU
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):10A
Email:[email protected]

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