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GA50JT06-258
- Número de pieza:
- GA50JT06-258
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- TRANS SJT 600V 100A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15663 Pieces
- Ficha de datos:
- GA50JT06-258.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GA50JT06-258, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GA50JT06-258 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo: | TO-258 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 25 mOhm @ 50A |
| La disipación de energía (máximo): | 769W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-258-3, TO-258AA |
| Otros nombres: | 1242-1253 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GA50JT06-258 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | 600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | TRANS SJT 600V 100A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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