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FQU13N06LTU_WS
- Número de pieza:
- FQU13N06LTU_WS
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18301 Pieces
- Ficha de datos:
- FQU13N06LTU_WS.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FQU13N06LTU_WS, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FQU13N06LTU_WS por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 115 mOhm @ 5.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FQU13N06LTU_WS |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.4nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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