FQU10N20CTU
FQU10N20CTU
Número de pieza:
FQU10N20CTU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16916 Pieces
Ficha de datos:
FQU10N20CTU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:360 mOhm @ 3.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQU10N20CTU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

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