FQB13N10LTM
FQB13N10LTM
Número de pieza:
FQB13N10LTM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19511 Pieces
Ficha de datos:
FQB13N10LTM.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 6.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.75W (Ta), 65W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQB13N10LTM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.8A (Tc)
Email:[email protected]

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