FESB16DT-E3/81
FESB16DT-E3/81
Número de pieza:
FESB16DT-E3/81
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14825 Pieces
Ficha de datos:
1.FESB16DT-E3/81.pdf2.FESB16DT-E3/81.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:975mV @ 16A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:TO-263AB
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):35ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:30 Weeks
Número de pieza del fabricante:FESB16DT-E3/81
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 16A Surface Mount TO-263AB
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):16A
Capacitancia Vr, F:175pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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