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FDZ3N513ZT
- Número de pieza:
- FDZ3N513ZT
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15815 Pieces
- Ficha de datos:
- FDZ3N513ZT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDZ3N513ZT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDZ3N513ZT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +5.5V, -0.3V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-WLCSP (1x1) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 462 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-UFBGA, WLCSP |
| Otros nombres: | FDZ3N513ZTTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | FDZ3N513ZT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 85pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 3.2V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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