FDZ202P
Número de pieza:
FDZ202P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18326 Pieces
Ficha de datos:
FDZ202P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:12-BGA (2x2.5)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 5.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:12-WFBGA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDZ202P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:884pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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