Comprar FDY2000PZ con BYCHPS
Compre con garantía
FDY2000PZ
- Número de pieza:
- FDY2000PZ
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19775 Pieces
- Ficha de datos:
- FDY2000PZ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDY2000PZ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDY2000PZ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SC-89-6 |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 446mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | FDY2000PZ-ND FDY2000PZTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDY2000PZ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 350mA 446mW Surface Mount SC-89-6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FDY2000PZ
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
CMLDM7003 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | Investigación |
 |
DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN | Investigación |
 |
SI6954ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP | Investigación |
 |
IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Investigación |
 |
SC8673040L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 30V 16A/46A 8-HSO | Investigación |
 |
NVMFD5877NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL | Investigación |
 |
ZXMN3A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | Investigación |
 |
ALD111933PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | Investigación |
 |
FDY2001PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F | Investigación |
 |
IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | Investigación |
 |
MCH6606-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET PCH DUAL MCPH6 | Investigación |
 |
DMNH6021SPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers