FDS8333C
FDS8333C
Número de pieza:
FDS8333C
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13623 Pieces
Ficha de datos:
FDS8333C.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 4.1A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDS8333C
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:282pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.1A, 3.4A
Email:[email protected]

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