Comprar FDS4897C con BYCHPS
Compre con garantía
FDS4897C
- Número de pieza:
- FDS4897C
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16467 Pieces
- Ficha de datos:
- FDS4897C.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDS4897C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDS4897C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 29 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Potencia - Max: | 900mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | FDS4897CTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDS4897C |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.2A, 4.4A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FDS4897C
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60DDAM70T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 | Investigación |
 |
ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | Investigación |
 |
FDS4897AC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | Investigación |
 |
VKM60-01P1 | IXYS | MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 | Investigación |
 |
EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 | Investigación |
 |
SI5943DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK | Investigación |
 |
VT6J1T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 | Investigación |
 |
BTS7904SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 | Investigación |
 |
FDG6304P_D87Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 | Investigación |
|
FDS4895C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC | Investigación |
|
FDS4885C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC | Investigación |
|
JANTX2N7334 | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers