FDS3672
FDS3672
Número de pieza:
FDS3672
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16342 Pieces
Ficha de datos:
FDS3672.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS3672TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDS3672
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2015pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 7.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

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