FDN360P
Número de pieza:
FDN360P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12163 Pieces
Ficha de datos:
1.FDN360P.pdf2.FDN360P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:FDN360P_F095
FDN360P_F095TR
FDN360P_F095TR-ND
FDN360PF095
FDN360PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:21 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDN360P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:298pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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