FDMS6681Z
Número de pieza:
FDMS6681Z
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19832 Pieces
Ficha de datos:
FDMS6681Z.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6), Power56
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.2 mOhm @ 22.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 73W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS6681ZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMS6681Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10380pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:241nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21.1A (Ta), 49A (Tc)
Email:[email protected]

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