FDMC86262P
FDMC86262P
Número de pieza:
FDMC86262P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13029 Pieces
Ficha de datos:
FDMC86262P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-MLP (3.3x3.3), Power33
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:307 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 40W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMC86262PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMC86262P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:885pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 150V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3), Power33
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta), 8.4A (Tc)
Email:[email protected]

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