FDMC86160
FDMC86160
Número de pieza:
FDMC86160
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18818 Pieces
Ficha de datos:
FDMC86160.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Power33
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 54W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMC86160TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMC86160
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1290pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.3W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount Power33
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 43A (Tc)
Email:[email protected]

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