FDMC86012
FDMC86012
Número de pieza:
FDMC86012
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 23A 8MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18759 Pieces
Ficha de datos:
FDMC86012.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:Power33
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 mOhm @ 23A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 54W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMC86012DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMC86012
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5075pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:38nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 23A (Ta) 2.3W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount Power33
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 23A 8MLP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Ta)
Email:[email protected]

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