FDI9406_F085
FDI9406_F085
Número de pieza:
FDI9406_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18763 Pieces
Ficha de datos:
FDI9406_F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK (TO-262)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.2 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):176W (Tj)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDI9406_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:138nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Through Hole I2PAK (TO-262)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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