FDD6670AS
FDD6670AS
Número de pieza:
FDD6670AS
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18327 Pieces
Ficha de datos:
FDD6670AS.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 13.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD6670AS-ND
FDD6670ASTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD6670AS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1580pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:76A (Ta)
Email:[email protected]

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