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FDC637AN
- Número de pieza:
- FDC637AN
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13655 Pieces
- Ficha de datos:
- FDC637AN.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDC637AN, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDC637AN por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SuperSOT™-6 |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres: | FDC637AN-ND FDC637ANTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 9 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDC637AN |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1125pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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