FDC5614P
FDC5614P
Número de pieza:
FDC5614P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17566 Pieces
Ficha de datos:
FDC5614P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:105 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:FDC5614PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDC5614P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:759pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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