Comprar FCPF380N65FL1 con BYCHPS
Compre con garantía
FCPF380N65FL1
- Número de pieza:
- FCPF380N65FL1
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18132 Pieces
- Ficha de datos:
- FCPF380N65FL1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FCPF380N65FL1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FCPF380N65FL1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F |
| Serie: | FRFET®, SuperFET® II |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 380 mOhm @ 5.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 33W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FCPF380N65FL1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1680pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 10.2A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FCPF380N65FL1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
FCPF380N60_F152 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F | Investigación |
 |
FCPF36N60NT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 36A TO220F | Investigación |
 |
BSL373SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP | Investigación |
 |
IRLI2505 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP | Investigación |
|
FCPF380N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Investigación |
 |
AOD403 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A TO252 | Investigación |
|
FCPF380N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Investigación |
 |
PHB20N06T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK | Investigación |
 |
SI7440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | Investigación |
 |
IPB80N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | Investigación |
 |
64-4092PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers