FCP067N65S3
Número de pieza:
FCP067N65S3
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17168 Pieces
Ficha de datos:
FCP067N65S3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 4.4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs:67 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo):312W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCP067N65S3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3090pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:78nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:44A (Tc)
Email:[email protected]

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