FCH125N60E
FCH125N60E
Número de pieza:
FCH125N60E
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18987 Pieces
Ficha de datos:
FCH125N60E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs:125 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):278W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:37 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCH125N60E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2990pF @ 380V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:95nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 29A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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