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EPC8005ENGR
EPC8005ENGR
Número de pieza:
EPC8005ENGR
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19179 Pieces
Ficha de datos:
1.EPC8005ENGR.pdf2.EPC8005ENGR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:275 mOhm @ 500mA, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC8005ENGR
EPC8005ENGH
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC8005ENGR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:29pF @ 32.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:65V
Descripción:TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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